半导体器件建模与测试实验教程

定　　价：58 元

• 作者：杜江锋，石艳玲，朱能勇编著
• 出版时间：2025/1/1
• ISBN：9787121493713
• 出 版 社：电子工业出版社

• 中图法分类：TN303 
• 页码：248页
• 版次：1
• 开本：26cm

内容简介

本教程在简要介绍MOSFET场效应晶体管器件结构和工作原理的基础上，全面叙述了MOSFET基本电学特性和二阶效应；介绍了MOSFET器件模型及建模测试结构和方案设计；给出了MOSFETBSIM模型参数提取流程；介绍了半导体器件SPICE模型建模平台EmpyreanXModel，深入介绍了XModel的基本功能和界面；介绍了MOSFET器件电学特性测试平台、测试模式和测试流程；分别介绍了MOSFET器件电学特性如C-V、转移特性和输出特性的测量方法；深入介绍了MOSFET模型参数提取的实验步骤和使用流程；介绍了MOSFET射频模型参数提取方法和使用流程；并介绍了GaN器件模型参数提取方法和使用流程。