《基于弛豫铁电单晶PMN-PT的新型器件（英文版）》一书介绍了基于铌镁酸铅-钛酸铅晶体(PMN-PT)设计开发的原型器件，初步探索了铁电材料在信息技术领域的新应用。首先，利用PMN-26PT单晶作为介电层，单层二硫化钼作为沟道半导体构筑了一种光热调控型场效应晶体管,为FET器件提供了一种新的策略。其次，采用银纳米线作为

本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考

本书介绍了热敏(温敏)电阻器的基本知识(分类、电导机制)、制备工艺、特性分析、测试表征。在仪器仪表中的应用，温度测量仪表的研制，及其计量测试方法进行了阐述。特别是从陶瓷中发生的电子过程出发，论述了陶瓷的半导化过程及电导机制。着重论述了电路设计及应用，计量示值误差标定方案和相关的计量技术规范，为热敏陶瓷及其元件的制造、应

弹性半导体结构的机械变形-电场-热场-载流子分布等物理场的耦合分析十分复杂。《弹性半导体的多场耦合理论与应用》基于连续介质力学、连续介质热力学及静电学的基本原理，建立了半导体的连续介质物理模型。以该模型为基础，采用材料力学及板壳力学的建模方法系统地研究了典型弹性半导体结构中的多场耦合问题，包括一维和二维压电半导体结构（

拟申报中国科学技术大学一流规划教材。本书专为高年级本科生以及研究生的教学所需设计，主要介绍半导体器件基本原理的知识内容，反映当今半导体器件在概念和性能等方面的最新进展，可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件，如双极、场效应、微波和光子器件的性能特点。

本书首先深入探讨了量子力学基础及其在物质、能带理论、半导体和集成电路等领域的应用。从电子的波动性质、不确定性原理到量子隧穿效应，逐步揭示量子世界的奥秘。接着，通过能带理论和半导体能带结构的解析，阐明了半导体材料的电子行为。此外，还详细介绍了掺杂半导体、晶格振动以及载流子输运现象等关键概念。最后，探讨了MOS结构、场效应

本书为1X电子装联职业技能等级证书（高级）考核配套题库，以职业技能等级标准和培训教材（高级）为依据进行编写。题库重点围绕生产管理与准备、焊膏贴片胶涂敷、元器件贴装、电子装联微焊接、自动接触式与非接触式检测、返修技术、特种微焊接、故障诊断、分析与可靠性等角度进行。题库分为知识要求试题和技能要求试题两部分，并附有知识要求试

《碳化硅器件工艺核心技术》共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的最新成果和发展趋势。《碳化硅器

本书不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺，而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。本书讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术，介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理，例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体，

本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。